Intel: PRAM sẽ ra mắt trong năm nay

Ảnh minh hoạ

Diễn đàn các nhà phát triển Intel (IDF) chứng kiến sự ra mắt công chúng lần đầu tiên công nghệ được kỳ vọng sẽ thế chỗ công nghệ DRAM hiện đang được sử dụng rộng rãi hiện nay.

Giám đốc công nghệ của Intel Justin Rattner đảm trách nhiệm vụ giới thiệu công nghệ PRAM trước các đại biểu tham gia IDF.

PRAM (phase-change RAM) là một loại bộ nhớ không biến đổi. Đây là thành quả của sự hợp tác giữa Intel và một số hãng khác. Đây là công nghệ được kỳ vọng sẽ thế chỗ công nghệ bộ nhớ Flash và DRAM hiện đang được sử dụng rộng rãi nhờ khả năng lưu trữ dữ liệu ngay cả khi mất nguồn cung cấp điện năng và có tốc độ ghi đọc dữ liệu nhanh.

Tuy nhiên, hiện khả năng lưu trữ của công nghệ PRAM còn tương đối hạn chế và chi phí sản xuất còn tương đối cao.

"Chúng tôi sẽ bắt đầu đưa công nghệ PRAM vào sản xuất thương mại trong khoảng nửa cuối năm nay," ông Rattner cho biết.

Công nghệ PRAM được đánh giá là có tốc độ đọc ghi dữ liệu cũng như bền hơn chủng loại bộ nhớ flash rất nhiều. PRAM lưu trữ dữ liệu chủ yếu dựa vào sự thay đổi trạng thái của vật liệu nhớ.

Intel và các đối tác còn kỳ vọng PRAM sẽ thay thế cả vị trí của loại bộ nhớ NOR và NAND Flash. Điều này sẽ giúp đẩy nhu cầu sử dụng PRAM lên cao góp phần giảm giá thành sản xuất.

Hoàng Dũng - (PC WORLD)